半导体装置与形成栅极间隔物的方法
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摘要
本发明是关于一种半导体装置与形成栅极间隔物的方法。该方法包括下列步骤：形成一栅极结构，该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上；形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上；形成一栅极间隔物材料层于该衬层上；定义该栅极间隔物材料层，以形成该些间隔物；形成一保护层于部分的该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上；部分移除该保护层，露出该衬层、该栅极结构与该些栅极间隔物的一顶部；施行一第一湿蚀刻制程，大体移除该衬层的露出部；移除该保护层；以及施行一第二湿蚀刻制程，大体移除该衬层的一底部与一顶部。本发明采用保护层保护衬层免于受到湿蚀刻制程的蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置与形成栅极间隔物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838389A
申请号 ：
CN200610058104.3
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜儒健孙书辉林立德
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610058104.3
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-02-04 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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