低k栅极间隔件及其形成

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摘要

本发明实施例描述了栅极结构和栅极间隔件以及形成这些的方法。在实施例中，一种结构包括位于衬底上的有源区，位于有源区上且位于衬底上方的栅极结构，以及位于有源区上且沿着栅极结构的侧壁的低k栅极间隔件。栅极结构包括位于有源区上的共形栅极电介质并且包括位于共形栅极电介质上方的栅电极。共形栅极电介质沿着低k栅极间隔件的第一侧壁垂直延伸。在一些实施例中，可以在已经通过替换栅极工艺去除伪栅极结构之后使用选择性沉积工艺来形成低k栅极间隔件。本发明实施例涉及低k栅极间隔件及其形成。

基本信息

专利标题：

低k栅极间隔件及其形成

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109786460A

申请号：

CN201810609921.6

公开（公告）日：

2019-05-21

申请日：

2018-06-13

授权号：

CN109786460B

授权日：

2022-04-29

发明人：

卢柏全王俊尧李志鸿柯忠廷徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201810609921.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336