晶体管栅极结构及其形成方法
公开
摘要
本申请涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构；包围第一纳米结构和第二纳米结构的栅极电介质，栅极电介质包含电介质材料；以及栅极电极，栅极电极包括：在栅极电介质上的功函数调谐层，功函数调谐层包含纯功函数金属，功函数调谐层的纯功函数金属和栅极电介质的电介质材料将第一纳米结构与第二纳米结构之间的区域完全填充，纯功函数金属具有大于95％原子百分比的金属的成分；以及在功函数调谐层上的填充层。
基本信息
专利标题 ：
晶体管栅极结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597258A
申请号 ：
CN202110539991.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-05-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李欣怡林加明徐志安
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN202110539991.0
主分类号 ：
H01L29/49
IPC分类号 ：
H01L29/49 H01L27/092 H01L21/8238
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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