屏蔽栅极金氧半场效晶体管元胞结构、晶体管及制造方法

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摘要

本发明公开了屏蔽栅极金氧半场效晶体管元胞结构、晶体管及制造方法，属于半导体领域。一种屏蔽栅极金氧半场效晶体管的元胞结构，多个包括刻蚀在硅基层上的上窄下宽的沟槽，所述沟槽内多次垫积氧化层和多晶硅形成包裹有氧化层的两个屏蔽栅极；本发明在维持相邻两个元胞的屏蔽栅极之间距离及沟槽深度不变的情况下，通过上窄下宽的沟槽，增加了屏蔽栅极的氧化层的厚度，减少了沟槽与沟槽之间的距离，从而在相同导通电阻下获得更多的BV耐压，由U型槽变成上窄下宽的沟槽，增加了氧化层的厚度。

基本信息

专利标题：

屏蔽栅极金氧半场效晶体管元胞结构、晶体管及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114068683A

申请号：

CN202210049709.5

公开（公告）日：

2022-02-18

申请日：

2022-01-17

授权号：

CN114068683B

授权日：

2022-04-22

发明人：

李伟聪姜春亮雷秀芳

申请人：

深圳市威兆半导体有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301

代理机构：

北京惟盛达知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

董鸿柏

优先权：

CN202210049709.5

主分类号：

H01L29/40

IPC分类号：

H01L29/40 H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28