方形元胞结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种方形元胞结构，包括：第一导电类型衬底；方形元胞结构还包括：位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层和位于第一导电类型外延层上的栅极结构；位于第一导电类型外延层内的第二导电类型体区；位于第二导电类型体区内的回形第一导电类型源区；位于回形第一导电类型源区的四个直角区域的阻挡区。方形元胞结构能够消除直角效应带来的风险，大大改善方形元胞结构的性能，并使所得饱和电压与抗闩锁能力得到最佳折中，且回形第一导电类型源区的直角区域与栅极结构之间没有交叠，因此这部分就不存在寄生NPN管。

基本信息

专利标题：

方形元胞结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020158742.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-10

授权号：

CN211295104U

授权日：

2020-08-18

发明人：

鄢细根黄兆俊

申请人：

凯茂半导体（厦门）有限公司

申请人地址：

福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之906

代理机构：

杭州裕阳联合专利代理有限公司

代理人：

姚宇吉

优先权：

CN202020158742.8

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/739 H01L29/78