一种提高IGBT开启可控性的元胞结构
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摘要
本申请涉及半导体制造领域，特别是一种提高IGBT开启可控性的元胞结构，包括N‑型基区，和场氧化层，场氧化层位于N‑型基区上方，N‑型基区内设置有沟槽型栅极区，沟槽型栅极区包括栅氧层、多晶栅和栅电极，多晶栅位于栅氧层的内部，并延伸至场氧化层上方，中间介质层一部分位于多晶层延伸部分的上方，其余部分位于N‑基区上层，中间介质层位于P型重掺杂区和N型重掺杂区的部分被刻蚀工艺分割开。本申请结构所述P型深掺杂区，未与沟槽形栅极区相接触，在栅极加压开启过程中，在沟槽下方不易形成连接P型基区与P型深掺杂区的反型沟道，P型深掺杂区的浮空电势在开启过程中变化率变小，因此对栅极区的影响减小，提高了栅极电压的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高IGBT开启可控性的元胞结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020383035.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN211455689U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
金涛马克强秦潇峰蒋兴莉王思亮
申请人 ：
成都森未科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏丹
优先权 ：
CN202020383035.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/739
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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