VDMOS器件条形元胞结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种VDMOS器件条形元胞结构，包括：第一导电类型衬底；VDMOS器件条形元胞结构还包括：位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层和位于第一导电类型外延层上的栅极结构；位于第一导电类型外延层内的第二导电类型体区；位于第二导电类型体区内的沿着第二导电类型体区间隔设置的多个回形的第一导电类型源区。VDMOS器件条形元胞结构的布局合理，减少了位于第二导电类型体区内的第一导电类型源区的面积，能够避免产生寄生NPN管效应，有效提升了EAS能力。

基本信息

专利标题：

VDMOS器件条形元胞结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020158853.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-10

授权号：

CN211295105U

授权日：

2020-08-18

发明人：

鄢细根胡飞刚

申请人：

凯茂半导体（厦门）有限公司

申请人地址：

福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之906

代理机构：

杭州裕阳联合专利代理有限公司

代理人：

姚宇吉

优先权：

CN202020158853.9

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/08 H01L29/78