一种RC-IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种RC‑IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构，该RC‑IGBT器件与传统器件相比增加了N‑缓冲层的厚度，且N‑缓冲层向上抬起一定的距离。由于上述的N‑缓冲层被加厚，使器件运行过程中受重粒子影响后的电场得到一定的缓解，提高了抗单粒子烧毁的韧性。另一方面，由于上述的N‑缓冲层被抬高，使器件运行过程中的电子导通路径的电阻增大，使器件的snapback效应没有受到缓冲层被加厚的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种RC-IGBT抗单粒子烧毁器件半元胞结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361241A
申请号 ：
CN202210005306.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王颖张孝冬包梦恬于成浩
申请人 ：
大连海事大学
申请人地址 ：
辽宁省大连市甘井子区凌水街道凌海路1号
代理机构 ：
北京盛询知识产权代理有限公司
代理人 ：
方亚兵
优先权 ：
CN202210005306.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L23/552 H01L29/739
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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