一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法
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摘要
本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112951915A
申请号 ：
CN202110108176.9
公开（公告）日 ：
2021-06-11
申请日 ：
2021-01-27
授权号 ：
CN112951915B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
王颖毕建雄曹菲包梦恬于成浩李兴冀杨剑群
申请人 ：
杭州电子科技大学;哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济开发区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王颖
优先权 ：
CN202110108176.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/417 H01L29/08 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20210127
申请日 : 20210127
2021-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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