一种高压单粒子加固LDMOS器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种高压单粒子加固LDMOS器件，包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、漏极N+注入、多晶硅，本发明通过缩短常规器件原N+掺杂横向漏区的宽度和添加一个N‑掺杂，使pn结变成两个二极管，且两个正极连接，N‑N+也形成一个新的反向二极管从漂移区到漏区，从而减少雪崩击穿的可能性，对于传统的LDMOS器件，源的寄生p‑n‑p‑n(SCR)结构的正反馈和漏极的雪崩击穿会导致整个器件烧毁，结果表明，单粒子加固LDMOS的击穿电压从660V下降到569V，降低了13.7％，SEB阈值电压从197V上升到291V，提高了47.7％。在安全BV以下，随着Vth‑SEB的增加，LDMOS系统的安全性和可靠性可以得到极大的提高。
基本信息
专利标题 ：
一种高压单粒子加固LDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551574A
申请号 ：
CN202210189091.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方健魏亚瑞雷一博江秋亮王腾磊刘颖金丽生
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202210189091.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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