一种抗单粒子辐射加固的GaN器件
授权
摘要
本发明公开一种抗单粒子辐射加固的GaN器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层；抗单粒子辐射加固的GaN器件的两端分别设有源极、漏极；源极、漏极贯穿势垒层、钝化层；源极、漏极之间设有沟槽，沟槽贯穿势垒层、钝化层；沟槽内设有栅极，栅极与沟槽内壁之间设有栅介质层；栅极、漏极上部分别连接有栅场板、漏场板；势垒层上还设有埋N阱，埋N阱厚度与势垒层厚度相同，埋N阱与沟槽之间设有间隙；埋N阱顶部连接有肖特基电极，肖特基电极与埋N阱宽度相同且上下对应设置，肖特基电极顶部设有肖特基电极场板。本发明能够防止器件在低漏极偏置电压下发生烧毁，有效提升了GaN器件的单粒子烧毁阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
一种抗单粒子辐射加固的GaN器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111883593A
申请号 ：
CN202010797183.X
公开（公告）日 ：
2020-11-03
申请日 ：
2020-08-10
授权号 ：
CN111883593B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王颖程有忠曹菲包梦恬于成浩
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济开发区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张换君
优先权 ：
CN202010797183.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/08 H01L29/40 H01L29/47
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-11-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20200810
申请日 : 20200810
2020-11-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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