一种模拟粒子入射下纳米器件单粒子瞬态响应的方法
公开
摘要
本发明属于半导体器件单粒子效应仿真领域，尤其涉及一种模拟粒子入射下纳米器件单粒子瞬态响应的方法。克服基于传统数值仿真模拟不能准确得到纳米器件对不同粒子的单粒子瞬态响应的难题。本发明利用Geant4仿真计算出的电荷密度分布作为重离子参数导入到纳米器件模型中进行器件单粒子效应仿真，得到入射粒子在器件中产生的单粒子瞬态响应。相比与传统TCAD仿真中只能比较LET值对器件单粒子瞬态的影响，本发明可以直接比较能量和粒子种类变化对器件单粒子瞬态的影响。同时本方法通过仿真发现，对于纳米器件，不同粒子在LET值相同，由于其径向分布不同，其单粒子瞬态响应差别较大。所以利用本方法可以更加准确的评估器件在不同辐射环境下的辐射效应。
基本信息
专利标题 ：
一种模拟粒子入射下纳米器件单粒子瞬态响应的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114611456A
申请号 ：
CN202210417667.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢超陈伟罗尹虹丁李利张凤祁
申请人 ：
西北核技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市灞桥区平峪路28号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
汪海艳
优先权 ：
CN202210417667.6
主分类号 ：
G06F30/398
IPC分类号 ：
G06F30/398 G06F111/10 G06F115/02 G06F119/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/398
设计验证或优化，例如：使用设计规则检查、布局与原理图或有限元方法
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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