一种高瞬态响应的无片外电容LDO
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高瞬态响应的无片外电容LDO，在现有LDO基础上，将反馈电阻网络产生的反馈电压通过额外的一条反馈支路引回到LDO的基准电路，这样基准电路所产生的基准电流大小就可以通过反馈电压的大小来调整，该基准电流作为输入误差放大器的尾电流管的尾电流，通过提高尾电流来提高误差放大器的摆率，提高了LDO的瞬态特性，从而减小了LDO的过冲电压和恢复时间。与通过增加数字控制环路、摆率增强电路来提高LDO的瞬态响应的方式相比，本发明提供的方法切实有效，电路结构简单易于实现，且静态功耗低，没有往误差放大器电路中引入额外的极、零点，不影响系统本身的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种高瞬态响应的无片外电容LDO
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114281142A
申请号 ：
CN202111608562.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈长江王彬徐凯张永生程晨程银
申请人 ：
江苏稻源科技集团有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市文昌东路88号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN202111608562.0
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 1/56
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
