一种高PSR快速瞬态响应双模式无片外电容LDO
实质审查的生效
摘要
本专利提出一种高PSR快速瞬态响应，有两种工作模式的无片外电容LDO，适用于数模混合芯片内部数字部分的供电。该设计基于0.13um CMOS工艺，内部可以分为前级降压器和后级降压器，其中前级降压包含前级带隙基准，前级误差放大器和前级功率管，后级降压器包含后级带隙基准，后级电压缓冲器，后级误差放大器和后级功率管，此外还有使能电路，过压保护和过温保护，负载电流检测和负载跳变检测电路构成瞬态提升和工作模式切换(轻载模式和重载模式)。该电路可集成在SOC系统中，无需外接分立单元。
基本信息
专利标题 ：
一种高PSR快速瞬态响应双模式无片外电容LDO
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114510109A
申请号 ：
CN202210034557.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国俊张文明秦逸飞张轩溥罗建鑫
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210034557.1
主分类号 ：
G05F1/567
IPC分类号 ：
G05F1/567
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
G05F1/565
除对系统输出偏差敏感的装置外，还检测系统一个工况或它的负载的，例如还检测电流、电压、功率因数
G05F1/567
用于温度补偿的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 1/567
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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