一种高精度快速瞬态响应全片上无电容型LDO
授权
摘要
本实用新型公开了一种高精度快速瞬态响应全片上无电容型LDO，运算放大器负相输入端接参考电压VREF，正相输入端分别连接功率管漏端的输出电压OUT和第一MOS管的漏端，运算放大器输出端接第一MOS管的栅端；通过运算放大器两个正相输入端对应所在的两个闭合环路实现嵌位，使第二闭合环路中的功率管漏端的输出电压OUT、第一闭合环路中的第一MOS管的漏端电压和参考电压VREF相等。本实用新型通过双环路嵌位提高输出电压精度，扩展了带宽，保证了快速的负载瞬态响应，即使LDO负载电容和电流在较大范围变化时，也能保证系统的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种高精度快速瞬态响应全片上无电容型LDO
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921296018.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-12
授权号 ：
CN210155569U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
白涛
申请人 ：
中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区龙山路89号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
耿英
优先权 ：
CN201921296018.5
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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