一种高瞬态响应缓冲器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高瞬态响应缓冲器，包括第零PMOS管，所述第零PMOS管的漏接IB端口和栅端，栅端接第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管的栅，所述第一PMOS管的漏接电阻R0，所述第二PMOS管的漏接Q2的集电极，所述第三PMOS管的漏接Q3集电极和第二十四PMOS功率管的栅端，本实用新型在传统以PMOS管作为功率管基础上，加入了高瞬态响应的反馈回路，在功率管栅极与输出之间加入电容，利用电容特性加快电路对信号瞬变做出反应的时间，同时在体端与输出之间也接入电容再次加速反应速度，同时也拉低了信号变化的峰值。在反馈回路加入加速恢复电路，在信号波动过大时给予信号反向变化电流加速信号变化回稳定安全范围。
基本信息
专利标题 ：
一种高瞬态响应缓冲器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121760036.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-30
授权号 ：
CN216210698U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
辛晓宁王馨浩毕家劲王明佳任建
申请人 ：
沈阳工业大学
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号
代理机构 ：
沈阳智龙专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋铁军
优先权 ：
CN202121760036.1
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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