提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，属于MOSFET制备领域。提供衬底，在其表面形成外延层；制作不同深度与宽度P阱，形成倒三角P阱；制作源端和体接触端；进行低温湿氧氧化SiO2生长；进行多晶硅的光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端。倒三角P阱第一点是利用电荷平衡原理，降低导通电阻；第二点是在单粒子辐射环境下，单粒子在器件运动过程中产生的电子空穴对在电场作用下运动，其中空穴由基区的P阱流走，深入的倒三角P阱更有利于空穴吸收，实现具有更高VDMOS的抗单粒子能力。
基本信息
专利标题 ：
提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373680A
申请号 ：
CN202111590902.1
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐海铭贺琪廖远宝徐政吴素贞唐新宇
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111590902.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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