具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件及其制备方法
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摘要
一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的埋氧层，位于所述埋氧层之上的体硅层，位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区，位于体硅层之上的栅氧化层，位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构，所述栅极叠层结构自下而上依次为下极板金属层/铁电层/上极板金属层，或者自下而上依次为铁电层/上极板金属层。本发明晶体管器件通过在栅氧化层上制作栅极叠层结构，实现沟道电势大于外部栅极电压，突破热力学限制下的60mV/dec的亚阈值摆幅，降低工作电压从而降低器件的功耗，同时通过多次分步离子注入，获得与体硅层具有相同厚度的源漏结深，使源漏结与底部的埋氧层接触，提高了器件的抗单粒子辐照能力。
基本信息
专利标题 ：
具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111081761A
申请号 ：
CN201911294299.5
公开（公告）日 ：
2020-04-28
申请日 ：
2019-12-16
授权号 ：
CN111081761B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
翟亚红杨锋李珍李威李平
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN201911294299.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/51 H01L23/552 H01L29/78 H01L21/28 H01L21/336
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-05-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20191216
申请日 : 20191216
2020-04-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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