薄膜晶体管阵列器件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种用于阵列器件的晶体管电路包括并联电连接且设置在同一衬底上的多个薄膜晶体管。在衬底上将晶体管设置成至少两行(201、202、203)晶体管，并且第一和第二行中的晶体管的源极线(30)具有不同的宽度，且第一和第二行中的晶体管的漏极线(32)具有不同的宽度。将所有源极(30)连接在一起并将所有漏极(32)连接在一起，并且将源极连接设置到较宽源极线的端部并将漏极连接设置到较宽漏极线的端部。这提供了一种源极和漏极布图，其减小了宽沟道TFT的节距和布图面积，同时防止了由于高电流密度所引起的源极和漏极端子/线的恶化。该布图基本上包括若干组小的并联TFT，其依次并联连接。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107704A
申请号 ：
CN200680001836.7
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2006-01-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
F·W·罗尔芬
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200680001836.7
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12 H01L27/02 H01L29/417 B41J2/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的驳回
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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