用于薄膜晶体管的ESD防护器件结构及制备方法
公开
摘要
本发明提供一种用于薄膜晶体管的ESD防护器件结构及制备方法，提供自下而上依次叠置衬底、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层的基底，并在衬底中形成与第一绝缘层相接触的第一导电类型层及第二导电类型层，从而通过第一导电类型层及第二导电类型层将ESD防护二极管制备于衬底，以在衬底中形成一个PN结，该PN结可对后续工艺中在器件层中制备的薄膜晶体管电路进行ESD防护，且由于薄膜晶体管基本属于低温工艺，因此后续薄膜晶体管的制备工艺不会对衬底中的PN结造成性能退化，进一步的，在ESD发生时，中间层还可屏蔽PN结泄放电流对薄膜晶体管的影响，从而可有效解决薄膜晶体管的ESD防护器件结构的耐压问题。
基本信息
专利标题 ：
用于薄膜晶体管的ESD防护器件结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582859A
申请号 ：
CN202210477980.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘尧刘盛富杨超段花花尹杰刘森
申请人 ：
微龛（广州）半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202210477980.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/12 H01L21/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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