场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件
公开
摘要
本发明提供了一种场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件。该场效应晶体管器件包括衬底、功能主体、栅介质和栅极；功能主体包括漂移外延区、沟道区、源区、第一屏蔽区和第二屏蔽区，功能主体中设置有槽口位于远离衬底的一侧表面的多个栅极沟槽，各栅极沟槽内均设置有栅极和栅介质，沟道区接触其中一个栅极沟槽中的栅介质，沟道区中具有沟道，第一屏蔽区位于沟道区与另一个栅极沟槽之间，且第一屏蔽区接触另一个栅极沟槽中的栅介质，第二屏蔽区位于栅极沟槽下，第二屏蔽区连接于第一屏蔽区。该第一屏蔽区和第二屏蔽区能够大幅降低器件的导通电阻并提高器件的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497202A
申请号 ：
CN202111675319.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈昭铭夏经华张安平
申请人 ：
松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
王秉丽
优先权 ：
CN202111675319.0
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/265
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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