本发明提供一种功率器件及其制备方法，该方法包括以下步骤：形成遮盖第一多晶硅层引出区的光刻胶层，并将单元区的沟槽中的第一多晶硅层回刻至预定深度；去除光刻胶层，并采用湿法刻蚀减薄第一氧化硅层的裸露部分；生长牺牲氧化层于第一多晶硅层的裸露表面；采用湿法刻蚀去除牺牲氧化层及部分第一氧化硅层以显露第一多晶硅层的上表面及单元区的沟槽的侧壁位于预定深度以上的部分；依次形成栅氧层及第二多晶硅层；去除第二多晶硅层位于半导体层上方的部分。本发明一方面可以避免在第一多晶硅层引出区和单元区交界区域的氧化层中引入台阶，从而增大工艺窗口，减少过磨或者少磨的风险；另一方面可以优化第一多晶硅层顶部的形貌，极大地提高产品良率。