MOS型功率器件及其制备方法

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摘要

本发明提供了MOS型功率器件及其制备方法，该MOS型功率器件包括：衬底；位于衬底中、且靠近衬底的上表面设置的阱区；位于阱区中，且靠近衬底的上表面设置的源区；位于衬底上表面的栅极氧化层；位于栅极氧化层上表面的栅极；位于栅极上表面的栅极保护层；位于栅极保护层的上表面，且贯穿栅极保护层、栅极、栅极氧化层和源区与阱区相连的接触电极；位于栅极保护层、栅极、栅极氧化层和接触电极之间的侧墙，其中，侧墙与栅极保护层的刻蚀选择比不低于8：1。该器件可以有效保护栅极保护层不受损伤，防止过刻产生GS短路，可以实现较小的晶胞尺寸，使得器件具有更高的集成度，同时增加了GS寄生电容，减小了米勒平台的宽度以及器件开关损耗。

基本信息

专利标题：

MOS型功率器件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109103253A

申请号：

CN201710475081.4

公开（公告）日：

2018-12-28

申请日：

2017-06-21

授权号：

CN109103253B

授权日：

2022-05-20

发明人：

朱辉肖秀光吴海平

申请人：

比亚迪股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

赵天月

优先权：

CN201710475081.4

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/28 H01L21/336