垂直型氮化镓功率器件及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器件的制备方法。本发明能够降低缺陷密度，不易形成垂直漏电通道，异质外延应力小，器件可靠性极高。

基本信息

专利标题：

垂直型氮化镓功率器件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113299749A

申请号：

CN202110697529.3

公开（公告）日：

2021-08-24

申请日：

2021-06-23

授权号：

CN113299749B

授权日：

2022-04-15

发明人：

范谦顾星倪贤锋崔莹

申请人：

东南大学苏州研究院

申请人地址：

江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区林泉街399号

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

金诗琦

优先权：

CN202110697529.3

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/06 H01L21/335