一种硅基氮化镓功率器件

授权

摘要

本实用新型涉及一种硅基氮化镓功率器件，属于器件封装技术领域，包括电路主体和封装壳体，电路主体设置在封装壳体内，功率器件还包括穿过封装壳体与电路主体电连接的接线柱，封装壳体包括保护壳体、防护结构和减震结构，保护壳体包括外壳体和内壳体，外壳体顶部设置有两平行滑槽，防护结构包括遮挡网，遮挡网底部固定连接有滑轮，滑轮卡在滑槽内与滑槽形成滑动连接，滑轮沿滑槽方向具有滑动自由度，遮挡网的一端为卷尺结构，遮挡网的另一端借助卡扣盒连接有卡扣环；电路主体设置在内壳体内，内壳体设置在外壳体内，外壳体和内壳体之间设置有减震结构，具有散热好，防尘以及防震荡的特点。

基本信息

专利标题：

一种硅基氮化镓功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021345014.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-10

授权号：

CN212461655U

授权日：

2021-02-02

发明人：

白欣娇李帅崔素杭袁凤坡李婷婷

申请人：

同辉电子科技股份有限公司

申请人地址：

河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号

代理机构：

石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

刘陶铭

优先权：

CN202021345014.4

主分类号：

H01L23/04

IPC分类号：

H01L23/04 H01L23/10 H01L23/367 H01L29/20