硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件

授权

摘要

本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。

基本信息

专利标题：

硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921035734.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-04

授权号：

CN210123485U

授权日：

2020-03-03

发明人：

汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区城北路235号1号楼

代理机构：

北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘元霞

优先权：

CN201921035734.8

主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/12 G02B6/124 G02B6/13 G02B6/42