一种硅基三维扇出集成封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种硅基三维扇出集成封装结构，属于集成电路封装技术领域。所述硅基三维扇出集成封装结构包括硅基，所述硅基第一面设置有第一布线层和母芯片，所述第一布线层和所述母芯片通过再布线层和微凸点与第一组子芯片焊接相连；所述硅基第二面和所述母芯片背面埋置有第二组子芯片，并依次制作有n层布线、阻焊层和凸点。通过使用硅基实现双面芯片埋入，最大化的利用了硅基基体和母芯片基体，完成高密度异构芯片三维集成，其封装效率、集成度、性能大大提高。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基三维扇出集成封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921532939.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN210296354U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
王成迁明雪飞吉勇
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨立秋
优先权 ：
CN201921532939.7
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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