一种硅基扇出型封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种硅基扇出型封装结构，属于集成电路封装领域。所述本实用新型提供的硅基扇出型封装结构包括硅基，所述硅基上刻蚀的凹槽中埋有芯片；所述硅基和所述芯片上依次形成有干膜材料和阻焊层；所述阻焊层上形成有凸点，并通过再布线层与所述芯片的焊盘连通。本实用新型的硅基扇出型封装结构中，埋入芯片厚度与封装厚度几乎一致，使得封装体厚度大大减小，散热性能大大提高。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基扇出型封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921224999.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210296343U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
王成迁
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨立秋
优先权 ：
CN201921224999.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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