扇出型封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种扇出型封装结构，扇出型封装结构包括第一重新布线层、第二重新布线层、金属连接柱、半导体芯片、第一填充层、第一封装层、堆叠芯片封装体、被动元件、第二填充层、第二封装层及金属凸块。本实用新型可将多种具有不同功能的芯片整合在一个封装结构中，从而可提高扇出型封装结构的整合性；通过第一重新布线层、第二重新布线层及金属连接柱，实现了三维垂直堆叠封装，可有效提高封装结构的集成度，且可有效缩短传导路径，以降低功耗、提高传输速度，增大数据处理量。
基本信息
专利标题 ：
扇出型封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022013581.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
CN212392240U
授权日 ：
2021-01-22
发明人 ：
陈彦亨林正忠
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202022013581.6
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/31 H01L25/16 H01L21/48 H01L21/60 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2021-07-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/498
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2021-01-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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