扇出型三维封装结构

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

摘要

本实用新型公开一种扇出型三维封装结构，包括埋入材料，埋入材料上间隔开设有沿埋入材料的厚度方向贯穿埋入材料的第一通孔和第二通孔；第一塑封层、位于第一通孔内的减薄后的第一芯片以及位于第二通孔内的导电柱，第一芯片和导电柱封装于第一塑封层内，且第一芯片的正面朝向第一塑封层；位于埋入材料一侧的第二塑封层和第二芯片，第二芯片的背面通过双面粘结胶带与第一芯片的背面粘结，第二芯片的I/O接口通过引线与导电柱连接，第二芯片封装于第二塑封层内；金属凸块，金属凸块通过电连接结构与第一芯片的I/O接口和导电柱连接。本实用新型有效降低了扇出型三维封装结构的封装高度和生产成本。

基本信息

专利标题：

扇出型三维封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922334454.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-20

授权号：

CN211150512U

授权日：

2020-07-31

发明人：

蔡琨辰刘春平崔锐斌

申请人：

广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司

申请人地址：

广东省佛山市南海区狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A座科研楼A107室

代理机构：

广州鼎贤知识产权代理有限公司

代理人：

刘莉梅

优先权：

CN201922334454.3

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48 H01L21/52 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/31 H01L23/485 H01L23/498 H01L23/49

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2021-01-12 ：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

专利权质押合同登记的生效IPC(主分类) : H01L 21/48
登记号 : Y2020980009995
登记生效日 : 20201224
出质人 : 广东佛智芯微电子技术研究有限公司,广东芯华微电子技术有限公司
质权人 : 广东南海农村商业银行股份有限公司科创支行
实用新型名称 : 扇出型三维封装结构
申请日 : 20191220
授权公告日 : 20200731

2020-07-31 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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