一种扇出型封装结构及封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及扇出型封装结构及封装方法。现有的多芯片封装结构仍存在散热效果不理想的情况，本发明提供了一种高散热性能扇出型封装结构及封装方法，通过在晶圆的背面以及重构后的晶圆背面均进行背面金属化，同时在两层金属层之间制造金属通孔，直接连接两层金属层，起到了减小热阻，提升散热效率，明显改善了散热效果，提升了扇出型封装的应用领域，使大功率芯片采用多芯片扇出型晶圆级封装成为可能。
基本信息
专利标题 ：
一种扇出型封装结构及封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334672A
申请号 ：
CN202210217644.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李作胜林媛熊海峰
申请人 ：
上海泰矽微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19号楼3层
代理机构 ：
上海双诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方玉
优先权 ：
CN202210217644.0
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20220308
申请日 : 20220308
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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