扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法
公开
摘要
本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型封装结构中，布线组合层在远离芯片的一侧表面还设置有多个焊接凹槽，多个焊接凹槽分布在导电焊球的至少两侧，并靠近导电焊球的底部设置，在将封装结构焊接在基板上时，当导电焊球与基板上的焊球发生偏移时，且偏移量超过焊盘位置时，焊球可以熔融流入焊接凹槽，只要两个焊球侧壁结合，就可以在焊接凹槽内形成新的焊接位置，提升焊接可靠性和结合力。同时其余未流入焊料的焊接凹槽，一方面可以提高扇出型封装底部的散热空气接触面积，从而提高散热能力，另一方面还可以减少翘曲，起到缓冲热应力的作用，避免封装结构变形。
基本信息
专利标题 ：
扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613735A
申请号 ：
CN202210233236.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡彪白胜清
申请人 ：
甬矽半导体（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
梁晓婷
优先权 ：
CN202210233236.4
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498 H01L21/48 H01L23/367 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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