一种扇出型封装结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种扇出型封装结构及其制备方法，扇出型封装结构包括：第一芯片；电学连接结构，电学连接结构包括第一焊盘、第二焊盘和引线，第一焊盘固定在第一芯片的背面，第二焊盘位于第一芯片的侧部周围，第二焊盘至第一芯片的正面的距离小于第一焊盘至第一芯片的正面的距离，引线的一端连接所述第一焊盘，引线的另一端连接所述第二焊盘；重布线结构，重布线结构位于第一芯片背向第一焊盘的一侧，第一芯片的正面与重布线结构电连接，第二焊盘和第一芯片位于重布线结构的同一侧且与重布线结构连接；塑封层；电学功能结构，电学功能结构设置在第一芯片背离重布线结构的一侧。所述扇出型封装结构简单、成本较低、可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
一种扇出型封装结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334851A
申请号 ：
CN202111625212.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡文华
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
董越
优先权 ：
CN202111625212.5
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/495 H01L25/18 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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