高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统
公开
摘要
本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统，属于电子封装领域，包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球，塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜，其中，芯片与高导热载体层叠；泡沫铜设置于芯片周围；布线层其正面与塑封模块的正面相接，以使芯片倒装于布线层；金属导体层设置于塑封模块的背面；植球设置于布线层的背面，且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构，封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜，并通过泡沫铜传导至焊球，最终将热量从封装导出，提高芯片热传导的能力；泡沫铜通过植球与下面地连接，起到屏蔽作用。
基本信息
专利标题 ：
高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582817A
申请号 ：
CN202210086525.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭旭光徐达常青松祁广峰要志宏袁彪常巍王乔楠张延青冯涛胡占奎张晓荷
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
张一
优先权 ：
CN202210086525.6
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/367 H01L23/31 H01L23/552 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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