扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法,涉及半导体封装技术领域,该扇出型封装结构包括缓冲层、芯片、塑封体、第一组合布线层和第一焊球,通过设置缓冲层,并将芯片贴附在缓冲层上,然后设置包覆在芯片外的塑封体,缓冲层的热膨胀系数小于塑封体的热膨胀系数,第一焊球与第一组合布线层电连接,第一组合布线层与芯片电连接,实现了扇出型封装。相较于现有技术,本发明通过额外设置缓冲层,且塑封体局部包覆在缓冲层上,缓冲层的热膨胀系数较小,在器件受力时,缓冲层可以优先于塑封体变形,吸收塑封体的结构应力,能够实现产品内部应力的平衡,有效减缓塑封翘曲问题。

基本信息
专利标题 :
扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512464A
申请号 :
CN202210407062.9
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-04-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈泽张聪
申请人 :
甬矽半导体(宁波)有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
梁晓婷
优先权 :
CN202210407062.9
主分类号 :
H01L23/498
IPC分类号 :
H01L23/498  H01L23/00  H01L23/31  H01L23/367  H01L21/56  H01L21/48  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20220419
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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