扇出型封装方法
实质审查的生效
摘要

本申请公开了一种扇出型封装方法,包括:提供第一载板;在所述第一载板上形成阻挡机构;形成所述阻挡机构后,在所述第一载板上形成导电机构;其中,至少部分所述导电机构和所述阻挡机构相接触;在所述第一载板上设置芯片,使所述导电机构和所述阻挡机构位于所述芯片的外围;在所述第一载板设有所述芯片的一侧形成塑封层;其中,所述塑封层至少覆盖所述芯片、所述阻挡机构和所述导电机构的侧面外围,所述芯片、所述阻挡机构和所述导电机构通过所述塑封层形成整体结构;去除所述第一载板。本申请提供的扇出型封装方法,能够减小塑封料因收缩产生的形变量,保证芯片的稳定性。

基本信息
专利标题 :
扇出型封装方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114530384A
申请号 :
CN202111665485.2
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马力
申请人 :
通富微电子股份有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市崇川路288号
代理机构 :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张庆玲
优先权 :
CN202111665485.2
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50  H01L21/56  H01L21/60  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211231
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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