一种扇出型封装方法及扇出型封装器件
公开
摘要
本申请公开了一种扇出型封装方法及扇出型封装器件，其中，扇出型封装方法包括提供第一塑封体，其中，所述第一塑封体包括至少一个芯片、设置于所述芯片的功能面上的金属柱以及连续覆盖所述芯片的侧面和所述金属柱的第一塑封层；沿所述第一塑封体的圆周方向切割去除最外围的所述第一塑封层，以使所述第一塑封体的直径等于第一阈值；其中，所述圆周方向与所述芯片的所述功能面至非功能面方向垂直；在所述第一塑封层的至少部分外围形成第二塑封层，以获得第二塑封体；其中，所述芯片的所述非功能面被所述第二塑封层覆盖。通过上述方式，能够平衡芯片正面的封装应力，提高芯片良率。
基本信息
专利标题 ：
一种扇出型封装方法及扇出型封装器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597133A
申请号 ：
CN202210056458.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李尚轩石佩佩谢庭杰
申请人 ：
南通通富微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园区江达路99号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张庆玲
优先权 ：
CN202210056458.3
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
