扇出型封装方法

实质审查的生效

摘要

本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：在载板的第一表面先后形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；其中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层中的一个为正性光刻胶，另一个为负性光刻胶；对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层同时进行曝光显影，所述第一光刻胶层上形成多个第一过孔、且位于所述第一光刻胶层侧面外围的所述第二光刻胶层上形成多个第二过孔；在所述第一过孔内形成阻挡件、以及在所述第二过孔内形成导电柱；去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层。通过上述方式，本申请能够降低芯片翘曲的概率，降低扇出型器件的高度并节省材料成本。

基本信息

专利标题：

扇出型封装方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114530385A

申请号：

CN202111665585.5

公开（公告）日：

2022-05-24

申请日：

2021-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陶玉娟

申请人：

通富微电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省南通市崇川路288号

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

张庆玲

优先权：

CN202111665585.5

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-06-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211231

2022-05-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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