一种扇出型封装方法

实质审查的生效

摘要

本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：在第一载板上设置介电层，且所述介电层背离所述第一载板一侧设置有凹槽；在位于所述凹槽侧壁的所述介电层上形成多个第一过孔、以及同时在位于所述凹槽底部的所述介电层上形成多个第二过孔；在所述第一过孔内形成导电柱、以及在所述第二过孔内形成阻挡件；去除所述介电层，并在多个阻挡件围设的范围内设置第一芯片；在所述第一载板设置有第一芯片一侧形成塑封层；去除所述第一载板。通过上述方式，本申请能够降低第一芯片翘曲的概率，降低扇出型封装器件的高度，并有效节省材料成本。

基本信息

专利标题：

一种扇出型封装方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114512411A

申请号：

CN202111671828.6

公开（公告）日：

2022-05-17

申请日：

2021-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陶玉娟

申请人：

通富微电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省南通市崇川路288号

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

张庆玲

优先权：

CN202111671828.6

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-06-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211231

2022-05-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载