扇出型封装方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：在第一载板上设置介电层，且所述介电层背离所述第一载板一侧设置有凹槽；在位于所述凹槽侧壁的所述介电层上形成多个第一过孔、以及同时在位于所述凹槽底部的所述介电层上形成多个第二过孔；其中，多个所述第一过孔环绕设置在多个所述第二过孔的外围，且所述第一过孔的高度大于所述第二过孔的高度；在所述第一过孔内形成导电柱、以及在所述第二过孔内形成阻挡件；去除所述介电层，并在多个所述阻挡件围设的范围内设置第一芯片；在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片。通过上述方式，本申请能够降低芯片翘曲的概率并提高扇出型器件的散热性能。
基本信息
专利标题 ：
扇出型封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512409A
申请号 ：
CN202111671798.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶玉娟姜艳
申请人 ：
通富微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川路288号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张庆玲
优先权 ：
CN202111671798.9
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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