一种扇出型封装方法

实质审查的生效

摘要

本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：提供载板，并在所述载板上设置第一芯片；在所述第一芯片的外围先后形成多个阻挡件和多个导电柱；其中，所述多个导电柱位于所述多个阻挡件的外围，且所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度；在所述载板设置有所述第一芯片一侧形成塑封层，以使得所述第一芯片、所述阻挡件和所述导电柱形成整体结构；去除载板。通过上述方式，本申请能够减小塑封料因收缩产生的形变量，保证了芯片的稳定性；并且不同高度的阻挡件和导电柱设计也可以有效节省封装材料，进而降低了封装成本。

基本信息

专利标题：

一种扇出型封装方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114530386A

申请号：

CN202111665612.9

公开（公告）日：

2022-05-24

申请日：

2021-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陶玉娟

申请人：

通富微电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省南通市崇川路288号

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

张庆玲

优先权：

CN202111665612.9

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-06-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211231

2022-05-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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