扇出型封装方法

实质审查的生效

摘要

本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：在载板的第一表面设置第一芯片、多个阻挡件和多个导电柱；其中，所述阻挡件具有导电性能，且所述阻挡件和所述导电柱借助层叠设置的正性光刻胶和负性光刻胶同时形成；所述多个阻挡件围设在所述第一芯片的侧面外围，所述多个导电柱围设在所述多个阻挡件的侧面外围，且所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度；在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片。通过上述方式，本申请能够降低芯片翘曲的概率并提高扇出型器件的散热性能。

基本信息

专利标题：

扇出型封装方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114512410A

申请号：

CN202111671818.2

公开（公告）日：

2022-05-17

申请日：

2021-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陶玉娟姜艳

申请人：

通富微电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省南通市崇川路288号

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

张庆玲

优先权：

CN202111671818.2

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/367

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-06-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211231

2022-05-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载