一种多元器件的扇出型封装结构及其封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种多元器件的扇出型封装结构及封装方法，包括具有厚度差的至少两个元器件，将厚度较小的元器件进行第一级塑封，然后在各器件表面预先制作金属凸点，再采用面朝上方式将各元器件贴装到衬底上并进行第二级塑封，再制作与金属凸点电气连接的再布线层，既能兼容两种元器件的厚度差，又能有效克服元器件凸起引起的晶圆表面不平整而给后续光刻步骤和化学机械研磨工序带来的困难。
基本信息
专利标题 ：
一种多元器件的扇出型封装结构及其封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496821A
申请号 ：
CN202111525646.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李杰欣阮文彪
申请人 ：
厦门云天半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区中沧工业园坪埕中路28号302单元
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202111525646.8
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/56 H01L23/485 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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