扇出式封装方法及封装结构

实质审查的生效

摘要

本发明提供一种扇出式封装方法及封装结构，该方法包括：提供芯片、第一临时载盘和第二临时载盘；第二临时载盘的第一表面设置有第一金属种子层；在芯片的第一表面形成导电连接件，并将芯片的第一表面固定到第一临时载盘上；在芯片的第二表面依次形成第二金属种子层和金属层；将芯片与所述第一临时载盘分离；将芯片第二表面的金属层与第二临时载盘的第一金属种子层进行热压键合；在芯片的第一表面形成塑封层，将芯片与第二临时载盘分离；在芯片的导电连接件上形成重布线层。该封装方法可以改善芯片偏移，易于制作，能够广泛应用到半导体封装行业，极大提高芯片生产良率，节约了时间及物料成本。

基本信息

专利标题：

扇出式封装方法及封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114420569A

申请号：

CN202111608147.5

公开（公告）日：

2022-04-29

申请日：

2021-12-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李尚轩郑子企仇阳阳

申请人：

南通通富微电子有限公司

申请人地址：

江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区江达路99号

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司

代理人：

赵吉阳

优先权：

CN202111608147.5

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/488 H01L23/31

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211223

2022-04-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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