封装方法及封装结构
实质审查的生效
摘要
一种封装方法及封装结构，封装方法包括：提供基底、以及第一芯片，基底具有第一待键合面，第一待键合面上形成有第一互连电极，第一芯片具有第二待键合面，第二待键合面上形成有第二互连电极；利用键合层使第一待键合面和第二待键合面相键合，第一互连电极与第二互连电极错位相对，或者，第一互连电极在横向上避开第二互连电极设置，且第一互连电极与第二互连电极在纵向上具有间隙，键合层避开第一互连电极和第二互连电极设置；在第一互连电极与第二互连电极之间形成互连结构，互连结构包覆第一互连电极和第二互连电极，并填充于间隙中，用于实现第一互连电极与第二互连电极之间的电连接。本发明提高了封装可靠性。
基本信息
专利标题 ：
封装方法及封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388436A
申请号 ：
CN202111508769.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张镇凯刘孟彬
申请人 ：
中芯集成电路（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吴凡
优先权 ：
CN202111508769.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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