有源面板级扇出型封装结构及其制备方法
公开
摘要
本发明提供的有源面板级扇出型封装结构包括：衬底；有源薄膜晶体管接口电路层，位于所述衬底顶面，包括有源薄膜晶体管接口电路；互连层，位于所述有源薄膜晶体管接口电路层上且电连接所述有源薄膜晶体管接口电路；顶层外设器件，位于所述互连层上且电连接所述互连层；顶层芯片晶粒，位于所述互连层上且电连接所述互连层，所述顶层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片；底层外设器件，位于所述衬底底面且电连接所述互连层；底层芯片晶粒，位于所述衬底底面且电连接所述互连层，所述底层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片。本发明实现了对待封装硅基芯片进行功能扩展。
基本信息
专利标题 ：
有源面板级扇出型封装结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613748A
申请号 ：
CN202210174290.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭小军邓立昂尹晓宽韩磊欧阳邦李骏
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市徐汇区华山路1954号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202210174290.6
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L25/00 H01L27/12 H01L21/768 H01L21/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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