具有电容结构的扇出型面板级封装结构、具有电感结构的扇出型...
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摘要
本实用新型涉及一种具有电容结构的扇出型面板级封装结构、具有电感结构的扇出型面板级封装结构、封装体，所述具有电容结构的扇出型面板级封装结构包括：形成于芯片四周的塑封结构；第一绝缘树脂层，设于芯片的第一表面上，第一绝缘树脂层开设有至少一个凹槽；第一导电层，填入各凹槽中从而与第一表面的芯片第一电连接结构电性连接；第一金属布线层，设于第一导电层上，通过第一导电层与芯片第一电连接结构电性连接，第一金属布线层包括第一电容布线；第二绝缘树脂层，覆盖第一金属布线层；第二金属布线层，设于第二绝缘树脂层上，第二金属布线层包括第二电容布线。本申请使用独立封装结构形成电容器，不会占用芯片面积，因此不会增大芯片面积。
基本信息
专利标题 ：
具有电容结构的扇出型面板级封装结构、具有电感结构的扇出型面板级封装结构、封装体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121952070.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-19
授权号 ：
CN216250720U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
何乃龙张森王德进秦仁刚孙晓峰郭守誉
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
虞凌霄
优先权 ：
CN202121952070.9
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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