一种扇出封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种扇出封装结构，所述封装结构包括：固定在待封装芯片背面的钼铜载体、用于包裹待封装芯片背面和侧面的EMC层以及设置在待封装芯片正面用于进行重新布线的P I层，其中，所述EMC层设有用于露出钼铜载体的缺口，所述P I层内设有多个重布线，所述多个重布线的两端分别连接芯片焊盘和植球。该扇出封装结构将封装芯片直接安装在钼铜载体上，芯片背面直接贴近钼铜散热载体，相比现有技术中的背面是EMC材料的封装结构，散热能力更强；封装芯片背部直接接地，有效提高了电磁屏蔽效果；钼铜载体与芯片的热膨胀系数更接近，有效减小了封装过程中圆片的翘曲度，提高了封装成功率，进而可以广泛应用于各类军用、民用微电子产品中。
基本信息
专利标题 ：
一种扇出封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122808031.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
CN216749887U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
贾双宋志东徐可心
申请人 ：
中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市梁溪路796号
代理机构 ：
北京清大紫荆知识产权代理有限公司
代理人 ：
张奕轩
优先权 ：
CN202122808031.8
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/532 H01L23/373 H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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