全方位封装结构的制备方法和全方位封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明的实施例提供了一种全方位封装结构的制备方法和全方位封装结构，涉及半导体封装技术领域，该全方位封装结构及其制备方法采用晶圆级工艺，使得功能晶圆整体贴装在载体上，并且由于在塑封前即进行了一次切割，使得功能芯片的侧面露出，使得塑封时塑封体能够包覆在功能芯片的正面和侧面，从而实现了对功能芯片的全方位包封。并且载体上的多个功能芯片由功能晶圆切割而来，相较于常规的一颗一颗地贴装工艺，本发明无疑大大提升了制备效率。同时由于塑封体实现了全方位包封，在切割塑封体时也不会产生隐裂或崩边情况。
基本信息
专利标题 ：
全方位封装结构的制备方法和全方位封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420573A
申请号 ：
CN202210068259.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钟磊李利张超何正鸿
申请人 ：
甬矽半导体（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴尧罡
优先权 ：
CN202210068259.4
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/78 H01L23/31 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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