一种管芯封装结构及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种管芯封装结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：在所述承载基板上设置临时粘结层、重分布线路层以及半导体管芯，在所述半导体管芯的侧面形成多个平行排列的第一凹槽，在所述半导体管芯的上表面形成多个平行排列的第二凹槽；接着在所述半导体管芯上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层以及第二金属层，接着在所述承载基板上形成第一封装树脂层以及第二封装树脂层，接着进行热处理，接着在所述第一封装树脂层和所述第二封装树脂层中形成暴露所述重分布线路层的开槽，接着在所述开槽中沉积导电材料以形成导电柱，并使得所述导电柱与所述半导体管芯的所述侧面之间的净距小于20微米。

基本信息

专利标题：

一种管芯封装结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111799185A

申请号：

CN202010635228.3

公开（公告）日：

2020-10-20

申请日：

2020-07-03

授权号：

CN111799185B

授权日：

2022-04-19

发明人：

徐彩芬汤亚勇苏华

申请人：

徐彩芬

申请人地址：

江苏省苏州市张家港市金港镇同济路3号徐彩芬

代理机构：

苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

马丽丽

优先权：

CN202010635228.3

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/31

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2020-11-06 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20200703

2020-10-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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